1996

• M. Brandstetter, D. Schröder
  Informations- und Integrationsinfrastruktur zur effizienten Realisierung systemtechnischer und technologienaher Design-Flows
  In Tagungsband "Allg. Methodik und Unterstützung von Entwurfsprozessen für Schaltungen und Systeme", 1996, p. 93
  GI/ITG/GMM-Workshop, Paderborn, 1. März 1996
  Abstract:
  Dieser Beitrag zum GI/ITG/GMM Workshop stellt die Informationsinfrastruktur mit der sie begleitend implementierten Integrationsinfrastruktur in ihrer Anwendung in der flexiblen Integrationsplattform SYSWORK dar. Dabei werden einerseits hinsichtlich des Themenkomplexes der Strukturierung von Entwurfsprozessen die Bereiche des durchgängigen Design-Flows sowie der Schnittstelle in heterogenen Systemen angerissen und andererseits hinsichtlich der mikrosystemtechnisch/technologisch orientierten CAD Umgebungen die automatisierte, anwendungsbezogene CAD-Systemintegration, die Ableitung von Datenaustauschformaten und die aus der Informationsmodellierung abgeleiteten Standardisierungsbeiträge angesprochen.
  BibTeX:
  @inproceedings{Design_Flow:1996,
  author = {M. Brandstetter and D. Schr{\"o}der},
  title = {{I}nformations- und {I}ntegrationsinfrastruktur zur effizienten {R}ealisierung systemtechnischer und technologienaher {D}esign-{F}lows},
  year = {1996},
  month = {03},
  booktitle = {Allg. Methodik und Unterst{\"u}tzung von Entwurfsprozessen f{\"u}r Schaltungen und Systeme},
  note = {GI/ITG/GMM-Workshop, Paderborn, 1. M{\"a}rz 1996},
  pages = {93} }
  [Abstract] [BibTeX]
  
  
• G. Hinrichs, D. Preikszat
  A new process for simultaneous fabrication of a buried and a surface oxide layer
  Artikel in "Solid-State Electronics", vol. 39, p. 231-235, 1996
  Abstract:
  A new low energy ion implantation process for producing a buried oxide layer and a thin surface oxide at the same timeis presented. The utilized process is ion beam induced oxidation of silicon, which is based on the implantation of oxygenin an oxygen atmosphere. An oxidation mechanism is proposed. The dependence of the thickness of the surface oxideon the oxygen pressure in the implant chamber and on the O+ ion dose was investigated by Auger electronspectroscopy, C-V measurements and ellipsometry. The obtained thickness of the surface oxide was between 40 and 60 Å. The insulation properties have been proven to be good within a voltage range of a few volts by I-V measurements.
  BibTeX:
  @article{fabrication:1996,
  author = {G. Hinrichs and D. Preikszat},
  title = {{A} new process for simultaneous fabrication of a buried and a surface oxide layer},
  year = {1996},
  journal = {Solid-State Electronics},
  pages = {231-235},
  volume = {39} }
  [Abstract] [BibTeX]
  
  
• R. Paul, S. Paul
  Arbeitsbuch zu Elektrotechnik 1 (Felder, einfache Netzwerke)
  Buch, erschienen bei Springer Verlag (Berlin), 1996
  Abstract:
  
  BibTeX:
  @book{Arbeitsbuch_E-Technik:1996,
  author = {R. Paul and S. Paul},
  title = {{A}rbeitsbuch zu {E}lektrotechnik 1 ({F}elder, einfache {N}etzwerke)},
  year = {1996},
  address = {Berlin},
  publisher = {Springer Verlag} }
  [BibTeX]
  
  
• R. Paul, S. Paul
  Arbeitsbuch zu Elektrotechnik 2 (Netzwerke)
  Buch, erschienen bei Springer Verlag (Berlin), 1996
  Abstract:
  
  BibTeX:
  @book{Arbeitsbuch_E-Technik2:1996,
  author = {R. Paul and S. Paul},
  title = {{A}rbeitsbuch zu {E}lektrotechnik 2 ({N}etzwerke)},
  year = {1996},
  address = {Berlin},
  publisher = {Springer Verlag} }
  [BibTeX]
  
  
• R. Paul, S. Paul
  Repetitorium der Elektrotechnik
  Buch, erschienen bei Springer Verlag, 1996
  Abstract:
  
  BibTeX:
  @book{Repetitorium_Elektrotechnik:19,
  author = {R. Paul and S. Paul},
  title = {{R}epetitorium der {E}lektrotechnik},
  year = {1996},
  publisher = {Springer Verlag} }
  [BibTeX]
  
  

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